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Descubra como a Intel avança com a tecnologia ZAM, superando limites da HBM e impulsionando largura de banda em chips de alto desempenho para IA.
A Intel apresentou uma proposta que pode alterar o rumo das memórias de alto desempenho voltadas à inteligência artificial. Segundo informações do site Adrenaline e outros veículos no dia 3 de maio, a chamada tecnologia ZAM (Z-Angle Memory) surge como alternativa direta à HBM, prometendo até 5,3 TB/s de largura de banda por pilha, um salto que pode representar aproximadamente o dobro do desempenho em relação às soluções atuais.
Desenvolvida em parceria com o SoftBank, a inovação será detalhada durante o VLSI Symposium 2026, com apoio da SAIMEMORY, subsidiária do grupo japonês. A expectativa é que essa arquitetura esteja pronta para produção entre 2028 e 2030, mirando diretamente aplicações em GPUs e aceleradores de IA, onde a demanda por desempenho cresce de forma acelerada.
Tecnologia ZAM da Intel nasce para romper limites atuais de largura de banda
A evolução da inteligência artificial exige soluções cada vez mais robustas em memória. A Intel, ao investir na tecnologia ZAM, busca resolver um problema central: a limitação da largura de banda nos sistemas atuais baseados em HBM.
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Hoje, a HBM domina o segmento de alto desempenho, especialmente em data centers e placas voltadas à IA. No entanto, conforme os modelos se tornam mais complexos e exigentes, surgem gargalos difíceis de contornar. A transferência de dados precisa ser mais rápida, eficiente e estável — e é exatamente nesse ponto que a proposta da nova geração de chips com ZAM ganha força.
A promessa não é apenas incremental. Ao falar em até 2x mais largura de banda, a Intel sinaliza uma mudança estrutural, capaz de redefinir padrões técnicos no setor.
Arquitetura vertical da tecnologia ZAM amplia desempenho e simplifica o design
Um dos pontos mais relevantes da tecnologia ZAM está em sua construção. O projeto utiliza um empilhamento vertical composto por 9 camadas, sendo 8 dedicadas à DRAM e uma camada central responsável pelo controle lógico.
Essa abordagem elimina a necessidade de múltiplos controladores distribuídos, algo comum em soluções de HBM. Na prática, isso significa um sistema mais integrado, com menor complexidade operacional e maior eficiência na comunicação interna.
Outro destaque técnico envolve o uso de TSV (Through-Silicon-Via). A arquitetura concentra cerca de 13,7 mil caminhos de interconexão, permitindo que os dados circulem com alta velocidade entre as camadas.
Além disso, a estrutura utiliza substratos de silício de apenas 3 micrômetros entre as camadas, reforçando a densidade e contribuindo diretamente para o ganho de largura de banda.
Mais dados em menos espaço: densidade e capacidade da nova geração de chips
A capacidade de armazenamento também chama atenção. Cada camada da tecnologia ZAM entrega aproximadamente 1,125 GB, totalizando cerca de 10 GB por pilha. Em um pacote completo, esse número pode chegar a 30 GB, mantendo alta eficiência de espaço.
A pilha possui dimensões de aproximadamente 171 mm² (15,4 x 11,1 mm) e atinge uma densidade estimada de 0,25 Tb/s por mm², um número significativo dentro do contexto atual de memórias avançadas.
Esse nível de integração é fundamental para a nova geração de chips, que precisa lidar com grandes volumes de dados em tempo real. A combinação entre densidade e velocidade reforça o potencial da Intel em disputar espaço com soluções baseadas em HBM.
Eficiência energética e controle térmico colocam a ZAM à frente da HBM
Um dos principais desafios enfrentados pela HBM está relacionado ao calor gerado durante o funcionamento. À medida que mais camadas são adicionadas, o calor tende a se concentrar, afetando diretamente o desempenho e a estabilidade do sistema.
A tecnologia ZAM, segundo a Intel e seus parceiros, adota uma abordagem diferente. Sua arquitetura evita que o calor atravesse a camada de fiação, reduzindo o acúmulo térmico e melhorando a dissipação.
Além disso, o consumo energético é otimizado, especialmente em cenários de alta transferência de dados. Isso é particularmente relevante em ambientes como data centers, onde eficiência energética impacta diretamente os custos operacionais.
Entre os principais avanços destacados:
- Redução do acúmulo de calor nas camadas internas
- Melhor distribuição térmica devido ao design vertical
- Consumo energético mais eficiente em transferências intensivas
- Maior estabilidade em cargas de trabalho prolongadas
Esses fatores reforçam a competitividade da tecnologia ZAM frente à HBM, especialmente em aplicações críticas.
Comparação técnica evidencia disputa direta entre ZAM e HBM
A chegada da tecnologia ZAM intensifica a disputa com a HBM, especialmente com as futuras versões como HBM4 e HBM4E. Embora essas evoluções ainda estejam em desenvolvimento, a proposta da Intel já apresenta números expressivos.
Entre os principais pontos de comparação:
- Largura de banda: ZAM pode alcançar até o dobro da HBM atual
- Densidade: cerca de 0,25 Tb/s/mm²
- Capacidade por pacote: até 30 GB
- Arquitetura: empilhamento vertical com controlador unificado
- Interconexão: 13,7 mil vias TSV
Além disso, a ZAM utiliza um modelo de empacotamento descrito como 3.5D, que combina elementos tridimensionais com integração horizontal. Esse formato permite incluir recursos como fotônica de silício e conexões avançadas de entrada e saída.
Esse conjunto de características posiciona a solução como forte candidata para aplicações de alta exigência na nova geração de chips.
Impacto direto no avanço da inteligência artificial e GPUs modernas
A evolução da inteligência artificial depende diretamente da capacidade de movimentar grandes volumes de dados rapidamente. Nesse cenário, a largura de banda se torna um fator crítico.
A Intel, ao investir na tecnologia ZAM, busca atender a uma demanda crescente por desempenho em aplicações como IA generativa, análise de dados em larga escala e simulações complexas.
Hoje, a HBM já desempenha papel essencial nesse ecossistema, mas enfrenta limitações que podem se tornar mais evidentes com o avanço das cargas de trabalho. A ZAM surge como uma possível solução para esse desafio.
Entre os impactos esperados:
- Treinamento mais rápido de modelos de IA
- Redução de latência em processamento de dados
- Melhor desempenho em GPUs de última geração
- Maior eficiência em infraestruturas de data centers
Com isso, a nova geração de chips pode alcançar níveis inéditos de desempenho, impulsionados pela evolução da memória.
O que esperar da tecnologia ZAM nos próximos anos
Apesar do potencial promissor, a tecnologia ZAM ainda está em fase de desenvolvimento. A Intel, junto à SoftBank e à SAIMEMORY, trabalha para validar a arquitetura e garantir sua viabilidade em escala industrial.
A previsão de produção entre 2028 e 2030 indica que ainda há desafios a serem superados. A adoção dependerá de fatores como compatibilidade com sistemas existentes, custos de fabricação e aceitação do mercado.
A apresentação no VLSI Symposium 2026 será um passo importante para consolidar a proposta e demonstrar seu funcionamento em condições reais.
Mesmo com incertezas, o movimento da Intel reforça uma tendência clara: a busca por soluções que ampliem a largura de banda sem comprometer eficiência energética e estabilidade.
Uma mudança silenciosa que pode redefinir o futuro dos chips
A chegada da tecnologia ZAM representa mais do que uma evolução incremental. Trata-se de uma tentativa concreta da Intel de reposicionar sua atuação em um mercado altamente competitivo, dominado por soluções baseadas em HBM.
Ao propor uma arquitetura capaz de entregar até 5,3 TB/s por pilha, com melhorias em dissipação térmica e consumo energético, a empresa aponta para um futuro onde a nova geração de chips será mais eficiente, rápida e adaptada às demandas da inteligência artificial.
Ainda que o caminho até a adoção em larga escala envolva desafios técnicos e comerciais, os primeiros dados indicam que a ZAM tem potencial para se tornar um novo padrão. Se isso se confirmar, o impacto será sentido em toda a indústria — dos data centers às aplicações mais avançadas de computação.
Com informações de Adrenaline.
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