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Pesquisa desenvolvida em Xangai promete mudar o armazenamento de dados em celulares, computadores e inteligência artificial, confira os detalhes da nova tecnologia.
A China pode estar a poucos passos de liderar uma nova revolução tecnológica no setor de hardware. Cientistas da Universidade de Fudan, em Xangai, anunciaram os primeiros testes bem-sucedidos da tecnologia Phase-change Oxide (PoX), uma memória de armazenamento extremamente rápida e não volátil. Segundo o time de cientistas, a nova tecnologia é capaz de realizar operações de escrita e leitura em impressionantes 400 picossegundos — tempo tão pequeno que equivale a um trilionésimo de segundo.
A inovação representa um salto significativo em relação às memórias atuais. Para comparação, as memórias mais rápidas em uso hoje, como a SRAM e DRAM, trabalham na faixa de 1 a 10 nanossegundos. Já as tradicionais memórias flash, como as utilizadas em SSDs, operam em milissegundos — ou seja, são milhões de vezes mais lentas que o novo material desenvolvido na China.
Como funciona a memória Phase-change Oxide (PoX)?
A memória PoX utiliza um princípio de mudança de fase em óxidos de materiais, o que permite alternar entre estados de alta e baixa resistência elétrica em velocidades extremamente altas. Esta capacidade de alternância rápida é crucial para o desempenho de novas aplicações em inteligência artificial, processamento de dados em tempo real e sistemas embarcados em dispositivos móveis.
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Além da velocidade impressionante, a Phase-change Oxide tem outra vantagem importante: é não volátil, ou seja, mantém os dados armazenados mesmo sem alimentação elétrica. Este recurso é fundamental para criar dispositivos que combinem o melhor dos dois mundos — a rapidez da RAM com a segurança de armazenamento permanente dos SSDs.
Segundo a pesquisadora Liu Chunsen, uma das líderes do projeto, a próxima etapa será integrar o PoX em smartphones e computadores comerciais.
“Agora conseguimos fabricar um chip em pequena escala e totalmente funcional. O próximo passo envolve integrá-lo aos dispositivos que usamos no dia a dia para eliminar gargalos de velocidade, atraso e superaquecimento”, afirmou em entrevista oficial.
Impactos no mercado de tecnologia e inteligência artificial
Se implementada com sucesso, a memória PoX poderá transformar radicalmente a arquitetura de hardware dos dispositivos eletrônicos. Atualmente, grande parte das limitações de desempenho em celulares, notebooks e servidores de inteligência artificial se deve justamente ao tempo de acesso e transferência de dados entre o processador e a memória.
Com a nova tecnologia, será possível criar:
- Smartphones mais rápidos e com menor consumo de energia.
- Computadores capazes de processar grandes volumes de dados sem superaquecimento.
- Aplicações de inteligência artificial embarcada muito mais potentes e autônomas.
- Redução drástica da necessidade de computação em nuvem para processos que exigem alta velocidade.
Além disso, a memória Phase-change Oxide pode abrir caminho para o desenvolvimento de novas arquiteturas de computação que integrem processamento e armazenamento no mesmo chip, eliminando o gargalo de movimentação de dados entre CPU e memória.
China acelera corrida global pelo domínio da próxima geração de hardware
O avanço da memória PoX reforça a estratégia da China de investir pesado em autossuficiência tecnológica, especialmente nas áreas consideradas críticas como semicondutores, inteligência artificial e computação de alto desempenho. Com mais de US$ 92 bilhões investidos em infraestrutura digital, o país pretende reduzir sua dependência de tecnologias ocidentais e liderar a próxima onda de inovações.
O anúncio da Universidade de Fudan ocorre em um contexto de forte disputa global pela liderança no mercado de semicondutores, especialmente após as restrições comerciais impostas pelos Estados Unidos nos últimos anos. A criação de tecnologias de armazenamento próprias, como a PoX, pode colocar a China em vantagem no cenário da próxima década.
Quando a Phase-change Oxide chegará ao mercado?
Embora a memória Phase-change Oxide ainda esteja em fase de testes iniciais, a equipe chinesa já trabalha com parceiros da indústria para viabilizar a produção em larga escala. Ainda não há uma data oficial para o lançamento comercial da tecnologia, mas o objetivo dos pesquisadores é introduzir protótipos em dispositivos móveis e computadores dentro dos próximos anos.
Se a integração for bem-sucedida, especialistas acreditam que o PoX poderá ser uma das tecnologias-chave para o avanço de cidades inteligentes, carros autônomos, aplicações de realidade aumentada e novas gerações de smartphones.
Por enquanto, o que já se sabe é que a China deu um passo relevante à frente na corrida global por tecnologias de próxima geração, mostrando que o futuro do armazenamento de dados pode estar muito mais rápido — e muito mais próximo — do que se imaginava.
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